和任何物质的原子一样,半导体的原子也是由带正电的原子核和带负电的电子组成。如半导体硅原子的外层就有4个电子,按固定轨道围绕原子核转动。当受到外来能量的作用时,这些电子就会脱离轨道而成为自由电子,并在原来的位置上留下一个“空穴”,在纯净的硅晶体中,自由电子和空穴的数目是相等的。如果在硅晶体中掺入能够俘获电子的硼、镓等元素,它就成了空穴型半导体,通常用符号p表示;如果掺入能够释放电子的磷、砷等元素,它就成了电子型半导体,以符号n代表。若把这两种半导体结合,交界面便形成一个p——n结。p——n结就像一堵墙,阻碍着电子和空穴的移动。当受到阳光照射时,电子接受光能驱向n型区,使n型区带负电,同时空穴驱于p型区,使p型区带正电。这样,在p——n结两旁便产生了电动势,也就是通常所说的电压。科学家把这种现象叫作“光生伏打现象”。
用光照射半导体时,若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度,则价带中的电子吸收光子后进入导带,产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关,每种频率的光,都是由同等能量的光子组成的,每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时,由于不同材料电特性的不同以及光子能量的差异,会产生不同的光电效应。利用半导体材料的光电效应可制造光敏电阻器。
简单说就是,达到一定频率的光,照射到半导体上,会让半导体的电子和空穴分离,这就是光生载流子,载流子包括电子和空穴
如果给这个半导体施加电场,那就会导致超过一定频率的光照时会有电流,光强越大,电流越大,不过不是无休止的,最大电流和半导体的结构有关
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